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AT-42010中文资料

  • 大小:52.9KB
  • 厂家:HP [Agilent(Hewlett-Packard)]
  • 描述:Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
  • 数据列表:AT-42010
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
  • 频率 - 转换:8GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率):1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • 增益:10dB ~ 13.5dB
  • 功率 - 最大:600mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 35mA,8V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):80mA
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:4-SMD(100 密耳)
  • 供应商设备封装:100 mil
  • 包装:散装

AT-42010供应商

更新时间:2023-01-22 06:39:17
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